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拓荆公司自主研制的国内首台12英寸PE-ALD设备通过客户验收
2018.10.15

20189月底,由沈阳拓荆科技有限公司自主研制的12英寸原子层沉积(Atomic Layer DepositionALD)设备FT-300T通过了客户的验收。


ALD设备是集成电路制备过程中关键的薄膜沉积设备,被视为先进半导体工艺技术发展的关键环节之一。拓荆公司基于已通过生产验证的高产能PECVD设备平台,成功研制了国内首台量产型12英寸ALD设备FT-300T,并迅速推向市场,可应用于超大规模集成电路,OLED及先进封装(TSV)领域,投入28/14nm先进生产线,用于沉积SiO2,SiNx等绝缘薄膜。该设备已成功进入试生产线考核验证,历时3个多月,通过了客户的考核验收,设备各项性能指标均满足要求,且达到或超过了国际同类产品的先进水平,这是我国在实现半导体高端装备国产化进程中的又一重大突破。

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