- PF-300T
- PF-200T
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12英寸PECVD设备PF-300T产品介绍:
PF-300T 是国家十一五重大专项所支持，由我公司自主研发的 12英寸 PECVD 设备，拥有 100%知识产权。其用于 40-28纳米集成电路的生产，具有 14-5纳米技术的延伸性。设备成本（CoO）及性能指标达到世界领先水平。设备已在多家国内及台湾企业的大规模集成电路及先进封装生产线（TSV）实施量产，充分展现国产半导体设备的实力与成果。
产品特点：
- 国际水平的性能指标
- 量产验证的SiO2，SiN，SiON及TEOS SiO2标准工艺
- 可依客户选择配置1-3路液态源，实现多种先进工艺
- 具备TSV所需的低温（<200℃）TEOS SiO2工艺
- 可与8英寸兼容互相切换
- 具有国际领先的产能和CoO
- 通过S2安全认证和F47标准检验 -
8英寸PECVD设备PF-200T产品介绍:
PF-200T 是由我公司基于 PF 系列平台，自主研发的 8 英寸 PECVD 设备，硬件结构以及系统稳定性和 PF-300T 保持一致，并已在国内各大企业经过严格的量产验证。PF-200T 和国际同类型二手设备相比，具有产能高，维护费用低的优势，还可为客户提供完善的售后及工艺开发等服务。并可升级到 12英寸，或实现 8/12 英寸相互切换。设备另具有低温 TEOS 的 SiO2 工艺，适用于三维集成电路生产（3D IC）中的 TSV 工艺。
产品特点：
- 按行业最新标准，全新设计制造
- 采用行业现有标准零部件，降低维护成本
- 国际领先的生产成本（CoO）及性能指标
- 可搭载 1-3 个 PM
- 成熟的 SiO2，SiN，SiON 及 TEOS SiO2 标准工艺
- 可配置 1-3 路液态源，实现掺杂工艺
- 具备 TSV 所需的低温（<200℃）TEOS SiO2 工艺
- 通过最新 S2 安全认证和 F47 标准检验
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12英寸ALD设备FT-300T产品介绍:
FT-300T 系列是我公司自主研发的原子层沉积（Atomic Layer Deposition）设备，反应腔搭载在已通过生产验证的高产能 PECVD 平台上，充分实现 ALD 设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路，OLED 及先进封装（TSV）领域。ALD 技术一次沉积一层原子层薄膜，并针对 14nm 以下 FEOL 前道工艺进行合作开发。能有效覆盖及填充高深宽比的孔洞。现可提供具有高质量的 SiO2，SiN，Al2O3 薄膜，陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。
产品特点：
- 国际领先的生产成本（CoO）及性能指标
- 可搭载1-3个PM
- 具有优异的均匀性和优异的保形性
- 可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD
- ALD薄膜在高宽比（20:1）情况下台阶覆盖率可达到95%
- 通过S2安全认证和F47标准检验
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12英寸3D-NAND PECVD设备NF-300H产品介绍:
NF-300H 设备由拓荆科技承担了国家十三五重大专项，自主研发，是国产首台应用于新一代三维闪存芯片（3D NAND）生产线上的等离子体化学气相薄膜沉积设备，拥有 100% 自主知识产权。目前可实现超过 128 对的 SiO2、SiN（ONON）多层薄膜堆叠结构，在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面实现突破，设备性能指标达到同类产品国际先进水平，具备产业化能力及市场竞争力。
产品特点：
- 国际领先的生产成本（CoO）及性能指标
- 可搭载1-3个PM
- 稳定的薄膜性能指标及工艺表现
- 不同种类薄膜沉积的快速切换，高产能化
- 能够满足300-600℃的高温沉积的要求
- 多层喷淋头结构设计，快速气相切换
- 通过S2安全认证和F47标准检验
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技术服务及零部件客户技术支持：
-在机台设备保质期内，本公司将对非人为造成的软、硬件上的问题为客户提供及时的维修，以保证客户工厂生产的正常进行。-本公司在机台设备保质期内提供给客户充分的备用件，保质期后，客户可以购买方式取得备用部件的补充。-依客户所提需求，本公司的工程师保证于24小时内到达客户现场给予支援。 -
12英寸单腔PECVD设备产品介绍:
SC-300以12寸PECVD设备架构为基础,专为LED生产线、高校、研究所及企业研发机构所设计研发,可做2-12英寸的工艺,可选TEOS等液态源配置,适用于半导体、MEMS、光伏,封装等行业
